TD-LTE射频芯片研发进展顺利 市科信局莅临检查指导
时间:2010.07.16
时间:2010.07.16
2010年7月15日下午，广州市科技和信息化局副局长景广军一行于百忙之中莅临我公司就“新一代无线移动通信网重大专项”TD-LTE终端射频芯片研发课题进行检查指导。
公司总经理王小海向景局一行汇报TD-LTE终端射频芯片研发课题研发进度。他说，目前TD-LTE终端射频芯片系统仿真已全部完成，电路仿真和设计已完成98%，版图设计已完成90%。从仿真结果看，TD-LTE终端射频芯片设计完全符合国家要求，不但满足原有三频段TD-SCDMA和LTE的要求，还增加了2570MHz-2620MHz频段TD-SCDMA和LTE/MIMO的功能，无源混频器和无模拟滤波器零中频架构；内含国内最先进的∑-∆连续模数变换器（CTADC)采样及零中频接收机设计，独特的接收机IQ不平衡校准、发射机IQ不平衡校准和发射机本振校准设计，时钟达500MHz，是世界上第一款TD-SCDMA/LTE/MIMO射频收发芯片。此外，本课题有二十七项设计发明专利正在申请中。
“新一代宽带无线移动通信网”重大专项TD-LTE终端射频芯片研发课题有明确的产业化指标，是任务型的课题。尽管公司目前仍处于投资期，但为了顺利完成国家重大科技专项研发任务，提高我国集成电路产业的自主创新能力和核心竞争力，公司不余遗力集中资金，组织研发团队积极推进课题研发工作，因此希望广州市政府尽快解决课题配套资金问题，以加快国家重大专项的推进，尽快实现产业化，为广州市自主创新作出新的贡献。
广州市科技和信息化局副局长景广军一行对广晟微电子D-LTE终端射频芯片研发工作所取得的成绩给予充分肯定，并表示将通过市财局，按程序为本课题解决配套资金问题。
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