2010年1月8日上午，中纪委、省纪委领导在广东省广晟资产经营有限公司董事长李进明等领导的陪同下，莅临公司检查指导。
        在公司会议室，公司董事长贺湘华详细汇报了公司的基本概况、研发历程和发展规划。他说高频高速射频集成电路是一个进入门槛很高、开发难度很大的行业，全世界从事高频高速射频集成电路芯片开发的公司并不多，在中国更是廖廖无几，能够达到商用要求的芯片更是屈指可数。六年来，广晟微电子在国家与公司所在地政府部门以及广晟资产经营有限公司的大力支持下，公司瞄准国际尖端射频技术，自主创新，推出了一代又一代拥有自主知识产权终端射频集成电路产品。目前，公司已推出多款TD-SCDMA和SCDMA（McWiLL）商用射频芯片。2006年，公司成功研制出适用于双频SCDMA无线通信标准手机的RS3006S 射频芯片，并通过工信部电子第五研究所严格测试，实现了商用。2007年，公司推出的TD-SCDMA HSDPA终端射频芯片满足我国自主创新第三代移动通信标准高速传输要求，并在在北京奥运会期间得到了大规模应用。2008年，在成功研制出双频SCDMA射频芯片基础上，改变现有SCDMA芯片的纯语音功能、QPSK调制、单模、功耗与成本高等不足，广晟微电子成功开发出McWiLL宽带无线接入系统终端射频芯片，并应用于信威无线宽带接入终端McWiLL Modem。2009年，广晟微电子完成了第二代TD-SCDMA终端射频芯片RS2012 的设计与流片，芯片各项指标已经满足商用要求，是公司面向TD-SCDMA市场具有较强竞争实力的拳头产品。为了确保公司TD技术的领先优势， 2008年底公司开始组织研发团队进行TD-LTE射频芯片的研究开发，目前已完成TD-LTE射频芯片的设计，预计2010年6月可提供商用测试芯片，2010年底该芯片可达到商用要求。
        在了解到公司在过去几年国内自主创新3G标准TD-SCDMA及SCDMA（McWiLL）市场形势严峻的逆境中仍取得的可喜业绩后，中纪委、省纪委领导给予充分肯定。听取汇报后，中纪委、省纪委领导还到公司各个研发室及测试室参观。